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美研发新晶体管 开关频率提高1千倍

美研发新晶体管 开关频率提高1千倍
2013-11-04 10:59:00来源:东莞市福顺电子科技有限公司编辑:niuchuang 分享到: 转发到新浪微博 腾讯微博

美国物理学家组织网2月9日(北京时间)报道,美国科学家使用世界上最纤薄的材料——石墨烯研制出一种晶体管,新晶体管拥有创纪录的开关性能,将开关频率提高了1000多倍,这使得其可以广泛应用于未来的电子设备和计算机中,使其功能更强,性能更优异。

美国南安普敦大学纳米研究小组的扎卡里亚·摩卡塔德博士将石墨烯设置成二维的蜂巢结构,并由此研发出了该石墨烯场效应晶体管(GFETs),该晶体管拥有一个独特的管道结构,相关研究发表在《电子快报》杂志上。

该校电子和计算机科学系主任哈维·鲁特表示:“这是一个重要的突破,其对下一代计算机、通讯和电子设备的研发具有重要意义,借此,我们可以超越目前已有的CMOS技术,研发出更加高级的晶体管。将几何形状引入石墨烯管道内是一个新想法,该方法在让GFETs保持结构简单的同时获得卓越的性能,因此,可以很容易实现商业化生产。”

摩卡塔德现正在进行更进一步的研究,以了解致使电流在该石墨烯晶体管管道内停止流动的机制。